型号: GKI07174
功能描述:
制造商: Sanken Electric Co., Ltd.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7A（Ta），26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 650µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 33nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2520pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），59W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 14.5 毫欧 @ 18.9A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-DFN（5x6）
封装/外壳： 8-PowerTDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13310877445
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：张
电话：88601920
Q Q:
联系人：李新
电话：13265615669
Q Q:
