型号: GP1M003A080FH
功能描述:
制造商: Global Power Technologies Group
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 19nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 696pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 32W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.2 欧姆 @ 1.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220F
封装/外壳： TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：王
电话：13631598171
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：赵军
电话：18682318008
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：马先生
电话：13601075042
Q Q:
联系人：武盈盈
Q Q:
联系人：於R
电话：13713999519
Q Q:
