型号: GP1M005A050CH
功能描述:
制造商: Global Power Technologies Group
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC @ 10V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 627pF @ 25V
功率耗散(最大值): 92.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 1.65 欧姆 @ 2.25A, 10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:王志
电话:15818509871
联系人:谢先生
电话:13923432237
联系人:张小姐
联系人:陈先生,张女士
电话:13606207446
联系人:吴小姐,曹先生
电话:18207603663
联系人:Sam
联系人:赵先生
电话:13622328433
Q Q:
联系人:张
电话:18028720686