型号: GP1M013A050FH
功能描述:
制造商: Global Power Technologies Group
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 36nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1918pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 52W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 480 毫欧 @ 6.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220F
封装/外壳： TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：曹先生，吴小姐
电话：18617161819
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：常先生
Q Q:
联系人：张靖杰
电话：15875801632
Q Q:
