型号: GT10G131(TE12L,Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 带卷（TR）
IGBT 类型： -
电压 - 集射极击穿（最大值）： 400V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： -
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 200A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.3V @ 4V， 200A
功率 - 最大值： 1W
开关能量： -
输入类型： 标准
栅极电荷： -
25°C 时 Td（开/关）值： 3.1µs/2µs
测试条件： -
反向恢复时间（trr）： -
封装/外壳： 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SOP（5.5x6.0）
联系人：王静
电话：13261242936
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联系人：Alien
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