型号: GT10Q101
功能描述: High Power Switching Applications
制造商: TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
晶体管类型: 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
集电极直流电流: 10A
饱和电压, Vce sat 最大: 2.7V
功耗, Pd: 140W
电压, Vceo: 1.2kV
封装类型: TO-3P
针脚数: 3
上升时间: 70ns
功率, Pd: 140W
功耗: 140W
封装类型: TO-3P (N)
晶体管极性: ?频道
最大功耗: 140W
最大连续电流, Ic: 10A
电压, Vces: 1.2kV
电流, Icm 脉冲: 20A
表面安装器件: 通孔安装
针脚格式: GCE
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
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电话：18124040553
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Q Q:
