型号: GT20J321
功能描述: High Power Switching Applications Fast Switching Applications
制造商: TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
晶体管类型: 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
集电极直流电流: 20A
饱和电压, Vce sat 最大: 2.45V
功耗, Pd: 45W
电压, Vceo: 600V
封装类型: TO-220NIS
针脚数: 3
上升时间: 40ns
下降时间典型值: 40ns
功率, Pd: 45W
功耗: 45W
封装类型: TO-220NIS
晶体管极性: ?频道
最大连续电流, Ic: 20A
热阻, 结至外壳 A: 2.78°C/W
电压, Vces: 600V
电流, Icm 脉冲: 40A
结温, Tj 最高: 150°C
表面安装器件: 通孔安装
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
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