型号: GT25Q102
功能描述: N CHANNEL IBGT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
制造商: TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
晶体管类型: 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
集电极直流电流: 25A
饱和电压, Vce sat 最大: 2.7V
功耗, Pd: 200W
电压, Vceo: 1.2kV
工作温度范围: -55°C 到 +150°C
封装类型: TO-3P
针脚数: 3
上升时间: 100ns
下降时间典型值: 160ns
功率, Pd: 200W
功耗: 200W
封装类型: TO-3P (LH)
晶体管极性: ?频道
最大功耗: 200W
最大连续电流, Ic: 25A
电压, Vces: 1.2kV
电流, Icm 脉冲: 50A
表面安装器件: 通孔安装
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：陈s
电话：18680355003
Q Q:
联系人：刘志
电话：18667040231
Q Q:
联系人：朱少聪
Q Q:
