型号: GT30J324(Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： GT30J324
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： -
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 60A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.45V @ 15V，30A
功率 - 最大值： 170W
开关能量： 1mJ（开），800µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： -
25°C 时 Td（开/关）值： 90ns/300ns
测试条件： 300V，30A，24 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 60ns
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-3P（N）
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：赵先生，肖先生
电话：18123955157
Q Q:
联系人：包R
电话：18902446425
Q Q:
