型号:  GT50J102

功能描述:   Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)

制造商:  toshiba

XPackage：  3TO-3P(LH)

包装：  3TO-3P(LH)

配置：  Single

最大集电极发射极电压：  600 V

最大连续集电极电流：  50 A

最大栅极发射极电压：  ±20 V

安装：  Through Hole

标准包装：  Trays

供应商封装形式：  TO-3P(LH)

最大栅极发射极电压：  ±20

最大连续集电极电流：  50

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

最大集电极发射极电压：  600

最大功率耗散：  200000

最低工作温度：  -55

引脚数：  3

晶体管类型：  :IGBT

DC Collector Current：  :50A

Collector Emitter Voltage Vces：  :2.7V

功耗：  :200W

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :600V

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :TO-3P

No. of Pins：  :3

MSL：  :-

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Ic Continuous a Max：  :50A

Fall Time Typ：  :150ns

工作温度范围：  :-55°C to +150°C

Power Dissipation Max：  :200W

Pulsed Current Icm：  :100A

上升时间：  :120ns

端接类型：  :Through Hole

晶体管极性：  :N Channel

Voltage Vces：  :600V

Weight (kg)：  0.00975

Tariff No.：  85412900