型号: GT50J121(Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 100
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： -
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 100A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.45V @ 15V，50A
功率 - 最大值： 240W
开关能量： 1.3mJ（开）， 1.34mJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： -
25°C 时 Td（开/关）值： 90ns/300ns
测试条件： 300V，50A，13 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： -
封装/外壳： TO-3PL
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-3P（LH）
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