型号: GT50J325
功能描述: TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
制造商: TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
晶体管类型: 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
集电极直流电流: 50A
饱和电压, Vce sat 最大: 2.45V
功耗, Pd: 240W
电压, Vceo: 600V
工作温度范围: -55°C 到 +150°C
封装类??: TO-3P
针脚数: 3
上升时间: 70ns
下降时间典型值: 50ns
功率, Pd: 240W
功耗: 240W
封装类型: TO-3P (LH)
晶体管极性: ?频道
最大功耗: 240W
最大连续电流, Ic: 50A
热阻, 结至外壳 A: 0.521°C/W
电压, Vces: 600V
电流, Icm 脉冲: 100A
结温, Tj 最高: 150°C
表面安装器件: 通孔安装
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：姚威
电话：17665468861
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18718681541
Q Q:
联系人：周
电话：13539687799
Q Q:
