型号: GT50JR22
功能描述: Toshiba GT50JR22 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
制造商: Toshiba
最大连续集电极电流： 50 A
最大集电极-发射极电压： 600 V
最大栅极发射极电压： ±25V
最大功率耗散： 230 W
封装类型： TO-3P
安装类型： 通孔
通道类型： N
引脚数目： 3
开关速度： 1MHz
晶体管配置： 单
长度： 15.5mm
宽度： 4.5mm
高度： 20mm
尺寸： 15.5 x 4.5 x 20mm
最高工作温度： +175 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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