型号:  GT50J325(Q)

功能描述:   Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)

制造商:  toshiba

Status：  Active

XPackage：  3TO-3P(LH)

包装：  3TO-3P(LH)

配置：  Single

最大集电极发射极电压：  600 V

最大连续集电极电流：  50 A

最大栅极发射极电压：  ±20 V

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

工厂包装数量：  100

产品种类：  IGBT Transistors

连续集电极电流Ic最大：  50 A

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  600 V

安装风格：  Through Hole

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  TO-3P

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

集电极电流（ DC）（最大值）：  50 A

集电极 - 发射极电压：  600 V

包装类型：  TO-3P(LH)

引脚数：  3

工作温度（最大）：  150C

工作温度（最小值）：  -55C

工作温度分类：  Military

渠道类型：  N

Gate to Emitter Voltage (Max)：  �20 V

弧度硬化：  No

删除：  Compliant

集电极电流（DC ）：  50 A