型号: GT60N322(Q)
功能描述: IGBT Transistors IGBT 1000V 57A
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 100
IGBT 型 ： -
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 1000V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.9V @ 15V, 60A
- 集电极电流（Ic）（最大）： 57A
功率 - 最大： 200W
Input 型 ： Standard
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-3PL
供应商器件封装： TO-3P(LH)
包装材料 ： Tube
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