型号: GT60N322(Q)
功能描述: IGBT Transistors IGBT 1000V 57A
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 100
IGBT 型 ： -
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 1000V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.9V @ 15V, 60A
- 集电极电流（Ic）（最大）： 57A
功率 - 最大： 200W
Input 型 ： Standard
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-3PL
供应商器件封装： TO-3P(LH)
包装材料 ： Tube
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：Freya
电话：13636653728
Q Q:
联系人：朱经理，张小姐
电话：18926541169
Q Q:
联系人：谢小姐，朱小姐，曾小姐
电话：17724712767
Q Q:
联系人：龙小平,朱先生
电话：19868271275
Q Q:
