型号: GT60N322(Q)
功能描述: IGBT Transistors IGBT 1000V 57A
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 100
IGBT 型 ： -
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 1000V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.9V @ 15V, 60A
- 集电极电流（Ic）（最大）： 57A
功率 - 最大： 200W
Input 型 ： Standard
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-3PL
供应商器件封装： TO-3P(LH)
包装材料 ： Tube
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：曾舒媚
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：花花，张先生
电话：18927491517
Q Q:
联系人：陈亿宏
电话：13682435650-
Q Q:
联系人：林俊升
电话：13410425798
Q Q:
