型号: HAT2173N
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装: 2,500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 25A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 15.3 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 61nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 4350pF @ 10V
功率 - 最大值: 30W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-LFPAK-iV
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