型号: HAT2183WP
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 64 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1200pF @ 25V
功率 - 最大值： 30W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 8-WPAK
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：陈先生
电话：18922854955
Q Q:
联系人：张先生
电话：13528883171
Q Q:
联系人：段小姐
Q Q:
