型号: HAT2210RWS-E
功能描述: MOSFET N-PAK 8SOP
制造商: Renesas Electronics America
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: 2 个 N 通道（双），肖特基
FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7.5A（Ta），8A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 24 毫欧 @ 3.75A，10V，22 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 4.6nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 630pF @ 10V，1330pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.5W（Ta）
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
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