型号: HAT3010R-EL-E
功能描述: Trans MOSFET N/P-CH 60V 6A/5A 8-Pin SOP T/R
制造商: Renesas Electronics
最大门源电压： ±20
安装： Surface Mount
包装宽度： 3.93
PCB： 8
最大功率耗散： 3000
最大漏源电压： 60
欧盟RoHS指令： Compliant
最大漏源电阻： 32@10V@N Channel|76@10V@P Channel
每个芯片的元件数： 2
最低工作温度： -55
供应商封装形式： SOP
标准包装名称： SOIC
最高工作温度： 150
渠道类型： N|P
包装长度： 4.9
引脚数： 8
通道模式： Enhancement
包装高度： 1.65
最大连续漏极电流： 6@N Channel|5@P Channel
封装： Tape and Reel
铅形状： Gull-wing
连续漏极电流： 41065 A
栅源电压（最大值）： �20 V
功率耗散： 3 W
工作温度范围： -55C to 150C
包装类型： SOP
极性： N/P
类型： Power MOSFET
元件数： 2
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 60 V
弧度硬化： No
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