型号: HGT1S10N120BNST
功能描述: IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-263AB-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.7 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 35 A
Pd-功率耗散: 298 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: HGT1S10N120BNS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 35 A
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
宽度: 9.65 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流: 55 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 800
子类别: IGBTs
单位重量: 1.312 g
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