型号:  HGT1S10N120BNST

功能描述:  IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  IGBT 晶体管

RoHS:  是

技术:  Si

封装 / 箱体:  TO-263AB-3

安装风格:  SMD/SMT

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  1200 V

集电极—射极饱和电压:  2.7 V

栅极/发射极最大电压:  20 V

在25 C的连续集电极电流:  35 A

Pd-功率耗散:  298 W

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  HGT1S10N120BNS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

集电极最大连续电流 Ic:  35 A

高度:  4.83 mm

长度:  10.67 mm

宽度:  9.65 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:  55 A

栅极—射极漏泄电流:  +/- 250 nA

产品类型:  IGBT Transistors

工厂包装数量:  800

子类别:  IGBTs

单位重量:  1.312 g