型号: HGT1S3N60A4DS
功能描述: IGBT 晶体管 TO-263
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 17 A
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-263AB-3
商标: Fairchild Semiconductor
集电极最大连续电流 Ic: 17 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: SMD/SMT
系列: HGT1S3N60A
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：李先生
电话：13147006588
Q Q:
联系人：黄平
电话：13430471756
Q Q:
联系人：朱
电话：13418855410
Q Q:
