型号: HGT1S3N60A4DS9A
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装: 50
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: -
包装: 管件
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 17A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 40A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 2.7V @ 15V,3A
功率 - 最大值: 70W
开关能量: 37µJ(开),25µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 21nC
25°C 时 Td(开/关)值: 6ns/73ns
测试条件: 390V,3A,50 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 29ns
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: TO-263AB
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:Alien
联系人:林炜东,林俊源
联系人:罗先生
电话:19854773352
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:朱小姐
电话:13928486396
联系人:杨文炎
电话:13828847993
联系人:王
电话:15914054985