型号: HGTD7N60C3S9A
功能描述: IGBT 晶体管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-252AA-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 14 A
Pd-功率耗散: 60 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
系列: HGTD7N60C3S
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 14 A
高度: 2.3 mm
长度: 6.6 mm
宽度: 6.1 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流: 14 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: IGBTs
零件号别名: HGTD7N60C3S9A_NL
单位重量: 260.370 mg
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