型号: HGTP3N60C3D
功能描述: 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
制造商: Fairchild Semiconductor
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-220AB-3
集电极最大连续电流 Ic: 6 A
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Through Hole
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