型号: HIP6601BECB-T
功能描述:
制造商: INTERSIL
驱动配置： 半桥
通道类型： 同步
驱动器数： 2
栅极类型： N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 10.8 V ~ 13.2 V
输入类型： 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 15V
上升/下降时间（典型值）： 20ns，20ns
工作温度： 0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装： 8-SOIC-EP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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