型号: HMC-ALH435
功能描述: 射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 5 - 20 GHz
制造商: Analog Devices / Hittite
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 射频放大器
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
类型: Low Noise Amplifier
技术: GaAs
工作频率: 5 GHz to 20 GHz
P1dB - 压缩点: 16 dBm
增益: 13 dB
工作电源电压: 5 V
NF—噪声系数: 2.2 dB
OIP3 - 三阶截点: 25 dBm
工作电源电流: 30 mA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 85 C
系列: HMC-ALH435G
封装: Gel Pack
商标: Analog Devices / Hittite
通道数量: 1 Channel
输入返回损失: 5 dB
Pd-功率耗散: 0.45 W
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 50
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
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