HN1B04FE-GR,LF规格参数_HN1B04FE-GR,LF全国代理商/分销商

型号: HN1B04FE-GR,LF
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
晶体管极性: NPN, PNP
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 100 mV
最大直流电集电极电流: 150 mA
增益带宽产品fT: 80 MHz, 80 MHz
最大工作温度: + 150 C
系列: HN1B04
直流电流增益 hFE 最大值: 400
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min: 120
Pd-功率耗散: 100 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
单位重量: 3 mg