型号: HN1B04FU-Y(TE85L,F
功能描述: Transistor NPN/PNP Dual 50V 0.15A US6
制造商: Toshiba
晶体管类型： NPN + PNP
最大直流集电极电流： 150 mA
最大集电极-发射极电压： 50 V
封装类型： US
安装类型： 表面贴装
最大功率耗散： 200 mW
最小直流电流增益： 120
晶体管配置： 隔离式
最大集电极-基极电压： -50 V, 60 V
最大发射极-基极电压： 5 (NPN) V，-5 (PNP) V
最大工作频率： 120 (PNP) MHz，150 (NPN) MHz
引脚数目： 6
每片芯片元件数目： 2
最高工作温度： +125 °C
最大集电极-发射极饱和电压： 0.25 (NPN) V，-0.3 (PNP) V
长度： 2mm
宽度： 1.25mm
尺寸： 2 x 1.25 x 0.9mm
高度： 0.9mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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