型号: HN1C01FE-GR(5L,F,T
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： HN1C01FE -
标准包装： 4,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： 2 NPN（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值： 100mW
频率 - 跃迁： 80MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： ES6
其它名称： HN1C01FE-GR (5L,F,THN1C01FE-GR(5LFTTR
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