型号: HN1C01FE-GR(5L,F,T
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： HN1C01FE -
标准包装： 4,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： 2 NPN（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值： 100mW
频率 - 跃迁： 80MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： ES6
其它名称： HN1C01FE-GR (5L,F,THN1C01FE-GR(5LFTTR
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：17727431393
Q Q:
联系人：张晓辉
电话：15818682513
Q Q:
联系人：吴丽
电话：13686289316
Q Q:
联系人：韩先生
电话：13510177670
Q Q:
