型号: HN1B04FE-GR(5L,F,T
功能描述: TRAN PNP/NPN -50V -0.15A ES6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
电流 - 集电极（ Ic）（最大）： 150mA
晶体管类型： NPN, PNP
安装类型： Surface Mount
频率 - 转换： 80MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件： 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大）： 100nA (ICBO)
标准包装： 4,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 50V
供应商设备封装： ES6
封装： Tape & Reel (TR)
功率 - 最大： 100mW
封装/外壳： SOT-563, SOT-666
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时： 200 @ 2mA, 6V
其他名称： HN1B04FE-GR(5LFTTR
RoHS指令： Lead free / RoHS Compliant
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