型号: HN4A56JU(TE85L,F)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型： 2 PNP（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 @ 2mA，6V
功率 - 最大值： 200mW
频率 - 跃迁： 60MHz
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
供应商器件封装： USV
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
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联系人：余先生，张先生
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