型号: HN7G01FE-A(TE85L,F
功能描述: Transistors Bipolar - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA
制造商: Toshiba
工厂包装数量： 4000
产品种类： Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性： PNP
发射极 - 基极电压VEBO： - 5 V
最大功率耗散： 100 mW
直流集电极/增益hfe最小值： 300
直流电流增益hFE最大值： 1000
封装： Reel
集电极 - 发射极最大电压VCEO： - 12 V
安装风格： Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO： - 15 V
封装/外壳： ES-6
配置： Dual
RoHS： RoHS Compliant
连续集电极电流： - 400 mA
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：赵友涛
电话：18915486513
Q Q:
联系人：Wang
电话：13631509155
Q Q:
联系人：李
Q Q:
