型号: HN7G02FE(TE85L,F)
功能描述: Transistors Bipolar - BJT Vceo=-50V Vds20V Ic=-100ma Id=50mA
制造商: Toshiba
工厂包装数量： 4000
产品种类： Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性： PNP
发射极 - 基极电压VEBO： - 5 V
最大功率耗散： 100 mW
直流集电极/增益hfe最小值： 120
直流电流增益hFE最大值： 400
封装： Reel
集电极 - 发射极最大电压VCEO： - 50 V
安装风格： Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO： - 50 V
封装/外壳： ES-6
配置： Dual
RoHS： RoHS Compliant
连续集电极电流： - 100 mA
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