型号: HN7G05FU(TE85L,F)
功能描述: Transistors Bipolar - BJT Vceo=-50V Vds=20V Ic=-100ma Id=50mA
制造商: Toshiba
工厂包装数量： 3000
产品种类： Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性： PNP
发射极 - 基极电压VEBO： - 10 V
最大功率耗散： 200 mW
直流集电极/增益hfe最小值： 30
封装： Reel
集电极 - 发射极最大电压VCEO： - 50 V
安装风格： Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO： - 50 V
封装/外壳： ES-6
配置： Dual
RoHS： RoHS Compliant
连续集电极电流： - 100 mA
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：王宾朋
电话：15013461744
Q Q:
联系人：黄宏宇
电话：15017940560
Q Q:
