型号: HP8KA1TB
功能描述: MOSFET Nch+Nch 30V Power MOSET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOP-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms, 7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 24 nC, 24 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 5.8 mm
产品: MOSFET
晶体管类型: 2 N-channel
类型: Power MOSFET
宽度: 5 mm
商标: ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 14 S, 14 S
下降时间: 40 ns, 40 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns, 30 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 85 ns, 85 ns
典型接通延迟时间: 25 ns, 25 ns
零件号别名: HP8KA1
单位重量: 70.600 mg
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