型号:  HP8KA1TB

功能描述:  MOSFET Nch+Nch 30V Power MOSET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  HSOP-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  14 A

Rds On-漏源导通电阻:  7 mOhms, 7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  24 nC, 24 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  3 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  5.8 mm

产品:  MOSFET

晶体管类型:  2 N-channel

类型:  Power MOSFET

宽度:  5 mm

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  14 S, 14 S

下降时间:  40 ns, 40 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  30 ns, 30 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  85 ns, 85 ns

典型接通延迟时间:  25 ns, 25 ns

零件号别名:  HP8KA1

单位重量:  70.600 mg