型号: HSBA8048
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W 类型:N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 48A
栅源极阈值电压: 2.3V @ 250uA
漏源导通电阻: 6.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 56W
类型: N沟道
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