型号: HSBB4062
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 33A
栅源极阈值电压: 2.4V @ 250uA
漏源导通电阻: 15mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 31W
类型: N沟道
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：赵军
电话：18682318008
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：蒙生
Q Q:
联系人：周生
Q Q:
联系人：吴小姐
电话：18823775498
Q Q:
