型号: HSBE2738
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.47W 类型：双N沟道(共漏)
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12A
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 9.5mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.47W
类型: 双N沟道(共漏)
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：雷小姐，张先生
电话：13724284480
Q Q:
联系人：胡
Q Q:
联系人：刘
电话：13537590237
Q Q:
