型号: HSCB2307
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：P沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8A
栅源极阈值电压: 1.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 18mΩ @ 8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.2W
类型: P沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：曹先生，吴小姐
电话：18617161819
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13631261606
Q Q:
联系人：杨晶
电话：13168723808
Q Q:
联系人：邓佳
电话：15217037468
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13530356610
Q Q:
