型号: HSH190N03
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 190A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 2.4mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 180W
类型: N沟道
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：郭
电话：15999590907
Q Q:
联系人：林奋勇
电话：13421536964
Q Q:
联系人：朱慧杰
电话：13189727460
Q Q:
