型号: HSSC3139
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：650mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：P沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 650mA
栅源极阈值电压: 1.1V @ 250uA
漏源导通电阻: 500mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150mW
类型: P沟道
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：刘丹丽
电话：13808072722
Q Q:
联系人：张先生
电话：13480674181
Q Q:
联系人：赵耀
电话：13572203776
Q Q:
