型号: HUF75617D3
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 39nC @ 20V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 570pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 64W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 90 毫欧 @ 16A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-251AA
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：冷春林
电话：18898735043
Q Q:
联系人：曹鑫
电话：13682535788
Q Q:
联系人：温景霖
电话：18027769667
Q Q:
