型号: HUF75631SK8
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
Id-连续漏极电流: 5.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 39 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 31 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 23 ns
系列: HUF75631
工厂包装数量: 98
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：李先生
Q Q:
联系人：方俊杰
电话：13918134727
Q Q:
联系人：张先生
电话：13528883171
Q Q:
