型号: HUF75637S3ST
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 108nC @ 20V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1700pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 155W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 30 毫欧 @ 44A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：姚小姐
电话：17718930235
Q Q:
联系人：庄小姐
Q Q:
联系人：罗新华
电话：18200906026
Q Q:
