型号: HY0910D
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:143mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W(Tc) 类型:N沟道
制造商: HUAYI(华羿微)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 9A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 143mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 21W(Tc)
类型: N沟道
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:石满满
电话:13051098960
Q Q:
联系人:王先生
电话:13683302275
联系人:龙小平,朱先生
电话:19868271275
联系人:李杰
电话:18975822810
联系人:余戈
电话:028-84468013
Q Q: