型号: HY1804P
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
制造商: HUAYI(华羿微)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 110A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.5mΩ @ 55A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 125W(Tc)
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈楠
电话：18025360035
Q Q:
联系人：王俊涛
电话：18312353274
Q Q:
联系人：李先生
电话：13538015266
Q Q:
