型号: IAUC100N08S5N031ATMA1
功能描述: MOSFET_(75V 120V(
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: OptiMOS™-5
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 3.1 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 95µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 76nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 5525pF @ 40V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 167W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-34
封装/外壳: 8-PowerTDFN
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