型号: IAUC100N08S5N043
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.8V @ 63uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 100A(Tc)
栅源极阈值电压: 3.8V @ 63uA
漏源导通电阻: 4mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 125W(Tc)
类型: N沟道
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：张伟
电话：13249398567
Q Q:
联系人：陈晓斌
电话：15220450004
Q Q:
联系人：王先生
电话：17326134464
Q Q:
