型号: IGB03N120H2
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IGB03N120H2
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 带卷（TR）
IGBT 类型： -
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 9.6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 9.9A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.8V @ 15V，3A
功率 - 最大值： 62.5W
开关能量： 290µJ
输入类型： 标准
栅极电荷： 22nC
25°C 时 Td（开/关）值： 9.2ns/281ns
测试条件： 800V，3A，82 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： -
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： PG-TO263-3
其它名称： IGB03N120H2ATMA1SP000014616
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