型号: IGB10N60T
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IGB10N60T
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： TrenchStop®
包装： 带卷（TR）
IGBT 类型： NPT，沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 30A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.05V @ 15V，10A
功率 - 最大值： 110W
开关能量： 430µJ
输入类型： 标准
栅极电荷： 62nC
25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/215ns
测试条件： 400V，10A，23 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： -
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： PG-TO263-3-2
其它名称： IGB10N60T-NDIGB10N60TATMA1SP000456678
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：潘师傅
电话：13757510678
Q Q:
联系人：於金金
电话：13713999519
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13632853267
Q Q:
